Nan ane 60 yo nan dènye syèk la, travayè syantifik ak teknolojik yo te itilize prensip semi-conducteurs PN junction luminescence pou devlope dirije limyè-emisyon dyod.Dirije ki te devlope nan tan sa a te itilize GaASP, koulè lumineux li wouj.Apre prèske 30 ane nan devlopman, dirije a ke tout moun trè abitye ak te kapab emèt limyè wouj, zoranj, jòn, vèt, ble ak lòt koulè.Sepandan, te dirije blan an pou ekleraj sèlman devlope apre 2000, ak lektè a prezante nan dirije blan an pou ekleraj.Sous limyè ki pi bonè dirije ki fèt ak prensip luminesans semi-conducteurs PN junction soti nan kòmansman ane 60 yo nan 20yèm syèk la.
Materyèl ki te itilize nan moman sa a se te GaAsP, ki te klere wouj (λp = 650nm), ak nan yon kouran kondwi nan 20 mA, flux lumineux la te sèlman kèk milyèm nan yon lumèn, ak efikasite lumineux ki koresponn lan te apeprè 0.1 lumèn pou chak watt. .Nan mitan ane 70 yo, eleman In ak N yo te prezante pou fè LED pwodwi limyè vèt (λp = 555nm), limyè jòn (λp = 590nm) ak limyè zoranj (λp = 610nm), ak efikasite limyè a te ogmante tou a 1. lumen/watt.Nan kòmansman ane 80 yo, sous limyè ki ap dirije GaAlAs la parèt, sa ki fè efikasite limyè wouj ki ap dirije a rive nan 10 lumèn pou chak watt.Nan kòmansman ane 90 yo, de nouvo materyèl, GaAlInP, ki emèt limyè wouj ak jòn, ak GaInN, ki emèt limyè vèt ak ble, yo te devlope avèk siksè, ki amelyore anpil efikasite limyè ki ap dirije.Nan lane 2000, dirije a te fè nan ansyen an reyalize yon efikasite limyè nan 100 lumèn / Watt nan rejyon wouj ak zoranj (λp = 615nm), pandan y ap dirije a te fè nan lèt la te kapab rive nan 50 lumèn / Watt nan zòn vèt la (λp = 530nm).
Tan pòs: Nov-11-2022